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CVD Chemical Vapor Deposition CVD真空氣相鍍膜
CVD真空氣相沉積工藝特點
             
  • 生物相容性(用于各種植入物和其他醫(yī)療器械),符合FDA(ClassVI).符合美軍標MIL I-46058C。


  • 納米涂層滲透力強,360度無死角,可滲入SMD器件底部,全方位覆蓋PCB和電子元件器,涂層完整、連續(xù)、無針孔、厚度均勻。


  • 具有高介電強度和低介電常數(shù),超薄的絕緣層,能耐高電壓。


  • 室溫下生成納米鍍膜層,對涂覆敏感部件沒有熱應力。


  • 疏水薄膜,表面能量低,良好的干膜潤滑性。

             
  • 高度共形 - 可在尖角上覆膜并穿透小毛孔,不會形成彎月面,也不會聚集或遮擋精細的圖形。


  • 涂層化學惰性(無反應性),具有很高的耐化學性(酸堿鹽,溶劑)及極端的耐高低溫性(-60°C至200°C)


  • 透氣性非常低,不含針孔,防潮防水性(可達IP68)。


  • 抗輻射,可用于航空航天及γ射線和電子束滅菌。


  • 光學透明,無色。可用于上光學元件和照明無件。